中国科学基金

2020, v.34(05) 652-659

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后摩尔时代的微电子研究前沿与发展趋势
Frontiers and Trends of Microelectronics in Post Moore Era

孙玲;黎明;吴华强;周鹏;黄森;张丽佳;潘庆;李建军;张兆田;

摘要(Abstract):

集成电路是信息社会的基石,当前集成电路的发展仅靠缩小器件尺寸已经难以为继,未来格局将由后摩尔时代新器件技术决定,其基础研究正面临着新材料、新结构、新原理等诸多挑战。基于国家自然科学基金委员会第231期双清论坛会议成果,本综述围绕超越摩尔定律微电子发展路径中的核心问题,总结了国内外集成电路领域近年来取得的主要研究进展,探讨了以能效、功耗、复杂度、容错度为牵引的后摩尔时代微电子前沿研究方向,分析了我国在该领域亟需关注和解决的重要基础科学问题。

关键词(KeyWords): 微电子;集成电路;摩尔定律;后摩尔;新器件;科学问题

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金委员会政策局、工程与材料科学部对本次论坛的支持

作者(Author): 孙玲;黎明;吴华强;周鹏;黄森;张丽佳;潘庆;李建军;张兆田;

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DOI: 10.16262/j.cnki.1000-8217.20200825.004

参考文献(References):

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